При разработке, изготовлении и эксплуатации сотовой аппаратуры следует принимать во внимание ее специфические параметры. Высокая надежность бытовой электроники может быть обеспечена только при учете таких факторов, как разброс параметров транзисторов, их температурная нестабильность и зависимость характеристик от режима работы, а также изменение характеристик транзисторов в процессе эксплуатации.
Полупроводниковые приборы сохраняют свои характеристики в установленных пределах в условиях работы и хранения, характерных для различных видов и классов аппаратуры. Условия эксплуатации техники могут изменяться в больших пределах. Данные условия характеризуются внешними центробежными нагрузками и климатическими воздействиями (температурными и др.).
Общие требования, справедливые для всех транзисторов, предназначенных для применения в аппаратуре определенного класса, содержатся в общих технических условиях. Нормы на значения электрических характеристик и специфические требования, относящиеся к конкретному типу транзистора, есть в частных технических условиях.
Для удобства разработки и ремонта основные аналоги транзисторов и их цоколевка приведены в справочнике. К преимуществам электронного справочника надо отнести его общедоступность, пополняемость, простой поиск нужного транзистора по маркировке и аналогу.
Под воздействием различных факторов окружающей среды некоторые параметры транзисторов и свойства могут изменяться. Для герметичной защиты транзисторных структур от внешних воздействий служат корпуса приборов. Конструктивное оформление полупроводниковых приборов рассчитано на их использование в составе аппаратуры при любых допустимых условиях применения. Надо запомнить, что корпуса транзисторов, в конечном счете, имеют ограничение по герметичности. Поэтому при использовании полупроводниковых приборов в аппаратуре, предназначенной для эксплуатации в условиях повышенной влажности, платы с расположенными на них транзисторами важно покрывать лаком не менее чем в три слоя.
Все большее распространение получают так называемые бескорпусные транзисторы, изготовленные для применения в микросхемах и микросборках. Кристаллы таких элементов защищены специальным покрытием, но оно не дает хорошей защиты от воздействия окружающей среды. Защита достигается общей герметизацией всей микросхемы.
Чтобы осуществить долголетнюю и безотказную работу радиоаппаратуры, конструктор должен не только учесть характерные особенности транзисторов на этапе разработки аппаратуры, но и обеспечить соответствующие условия ее эксплуатации и хранения.
Транзисторы - элементы универсального применения. Они могут быть успешно использованы не только в классе устройств, для которых они разработаны, но и во многих других устройствах. Но набор параметров и характеристик, находящихся в электронном справочнике, соответствует первоочередному назначению транзистора. В справочнике приводятся значения параметров транзисторов, гарантируемые техническими условиями для соответствующих оптимальных или предельных режимов работы. Рабочий режим транзистора в проектируемом устройстве часто отличается от того режима, для которого приведены параметры в ТУ.
Значения большинства характеристик транзисторов зависят от реального режима и температуры, и с увеличением температуры значения параметров от режима видно более сильно. В справочнике даны, как правило, типовые (усредненные) зависимости характеристик транзисторов от тока, напряжения, температуры, частоты и т. п. Данные зависимости должны использоваться при выборе типа транзистора и ориентировочных расчетах, так как данные характеристик транзисторов одного типа не одинаковы, а лежат в некотором интервале. Данный диапазон ограничивается минимальным или максимальным значением, указанным в справочнике. Некоторые параметры имеют двустороннее ограничение.
При разработке радиоаппаратуры необходимо стремиться обеспечить их работоспособность в возможно более широких интервалах изменений важнейших параметров транзисторов. Разброс характеристик транзисторов и их изменение во времени при настройке могут быть учтены расчетными методами или экспериментально — методом граничных испытаний.
Полевые транзисторы с управляющим р-n переходом работают в режиме обеднения канала носителями заряда (независимо от типа его проводимости) при преобразовании напряжения затвор - исток от нулевого значения до напряжения отсечки тока стока.
В отличие от транзисторов с управляющим р-n переходом, у которых функциональная область составляет от Uзи = 0 до напряжения запирания, МДП-транзисторы сохраняют большое входное сопротивление при любых значениях потенциала на затворе, которое ограничено напряжением пробоя изолятора затвора.